展望科技未來，手機(jī)、電腦、物聯(lián)網(wǎng)、5G、AI、汽車電子、區(qū)塊鏈及AR／VR等多項(xiàng)創(chuàng)新應(yīng)用將推動(dòng)芯片行業(yè)長(zhǎng)效迅猛發(fā)展。乙硅烷是芯片先進(jìn)制程及相關(guān)高階工藝制程的關(guān)鍵材料，伴隨半導(dǎo)體新技術(shù)新制程的更迭，14nm、7nm等芯片對(duì)乙硅烷的需求量越來越大。目前，國內(nèi)企業(yè)面臨著技術(shù)壁壘，市場(chǎng)被國外企業(yè)高度壟斷。

“隨著乙硅烷產(chǎn)線投產(chǎn)，這一技術(shù)壁壘將被打破?！苯?，煙臺(tái)萬華電子材料有限公司（以下稱萬華電子材料）負(fù)責(zé)人介紹。2022年該項(xiàng)目正式開工建設(shè)，設(shè)計(jì)乙硅烷產(chǎn)能50噸/年。目前，該項(xiàng)目一期大部分單體完成主體結(jié)構(gòu)，10噸乙硅烷產(chǎn)線預(yù)計(jì)年底投產(chǎn)。

高純乙硅烷主要應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)芯片制造。3D NAND芯片制造形象一點(diǎn)理解就是萬丈高樓“平面”起，“樓體”結(jié)構(gòu)越復(fù)雜，就越需要更高的深寬比及更好的薄膜疊層沉積與外延生長(zhǎng)，這對(duì)于芯片制造過程中“沉積膜的厚度和均勻性、高深寬比孔道的均勻覆蓋”等指標(biāo)有較高要求，高純乙硅烷將憑借其優(yōu)勢(shì)成為該工藝不可替代的沉積材料。如今，3D NAND已從最初的24層已經(jīng)發(fā)展到了300層，專家預(yù)測(cè)其可以堆疊到1000層。未來三星、SK海力士、鎧俠、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球主要存儲(chǔ)廠商的層數(shù)和產(chǎn)能大戰(zhàn)還將繼續(xù)，電子特氣的總體市場(chǎng)在不斷擴(kuò)大，乙硅烷的市場(chǎng)需求也將進(jìn)一步增加。

近年來，隨著社會(huì)科技水平和人們生活水平的提高，在芯片制造和太陽能電池等領(lǐng)域中，電子特氣已然站在了目前最熱的產(chǎn)業(yè)賽道。為拓展半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈，萬華節(jié)能集團(tuán)發(fā)起成立了萬華電子材料，專門進(jìn)行大規(guī)模集成電路行業(yè)和光電科技領(lǐng)域中“卡脖子”材料高純乙硅烷的研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。

研發(fā)的過程也并非一帆風(fēng)順?！耙婚_始，我們?cè)鴩L試技術(shù)引進(jìn)，打造了600m²的實(shí)驗(yàn)室，可兩年試驗(yàn)卻一直沒有攻克核心技術(shù)，最終我們意識(shí)到，真正具有市場(chǎng)潛力的技術(shù)是買不來的。于是，我們破釜沉舟，開始自主研發(fā)，組建技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊(duì)、研究國外文獻(xiàn)、專利，反復(fù)調(diào)試試驗(yàn)，五加二、白加黑，對(duì)技術(shù)消化、吸收和再創(chuàng)新，最終，兩年攻克了技術(shù)難題。目前，我們的高純乙硅烷制備技術(shù)，經(jīng)過中國石油和化學(xué)工業(yè)聯(lián)合會(huì)組織科技成果鑒定，已達(dá)到國際先進(jìn)水平，投產(chǎn)后可以實(shí)現(xiàn)高純乙硅烷的國產(chǎn)化替代?！?/p>

下一階段，萬華電子材料將加速推動(dòng)高純乙硅烷的產(chǎn)業(yè)化建設(shè)進(jìn)程，不斷研發(fā)包括“正硅酸乙酯、乙硼烷、鍺烷”等其他電子特氣，豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，打造具有總承包能力的行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，提升產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵配套材料本土供應(yīng)能力，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控，為中國“芯基建”貢獻(xiàn)企業(yè)力量。